本文共计1472字，预计需要花费 2分钟才能阅读完成。
写作目的
本文为刚接触 VASP 且尚未入门的朋友梳理主要输入文件及关键参数设置，帮助快速上手、避开常见坑，顺利完成计算。
VASP 的 4 大输入文件：
- POSCAR
- INCAR
- KPOINTS
- POTCAR
01 POSCAR 文件
作用：描述晶胞参数、原子个数、原子位置；MD 时还可给出初始速度。
制作流程
获取 cif
- 文献
- Materials Project
- 自建（Materials Studio 等）
- 导入 VESTA：
File → Open - 导出 POSCAR：
File → Export Data → VASP 格式
坐标格式（导出时可选） - Fractional（分数坐标，常用）
- Cartesian（笛卡尔坐标）
> 小技巧：Linux 下dos2unix POSCAR避免换行符问题。
02 INCAR 文件
作用：告诉 VASP 算什么、怎么算。
“6 大必设”参数： SYSTEM、ENCUT、ISTART、ICHARG、PREC、ISMEAR、SIGMA
| 关键词 | 含义与建议值 |
|---|---|
| SYSTEM | 任意字符串，给计算起名 |
| ISTART, ICHARG | 初始波函数/电荷密度构建<br>常用组合：<br>(0,2) 结构优化 & 自洽；<br>(1,1)/(1,0) 续算；<br>(1,11) 非自洽 |
| ISPIN | 1 非自旋极化（非磁）<br>2 自旋极化（磁） |
| ENCUT | 平面波截断能<br>≥ 所有元素 ENMAX 最大值的 1–1.3 倍 |
| PREC | 精度：Normal/Med 足够 |
| ALGO | 电子优化算法<br>Normal = DAV（稳）<br>Very_Fast = RMM（快但易炸）<br>Fast = 先 DAV 后 RMM |
| NCORE | 并行效率，NCORE × NPAR ≈ 总核数 |
| NELECT | 总电子数；仅带电体系需设 |
| EDIFF | 自洽收敛标准：1E-5 ~ 1E-6<br>负值表示离子步最大受力阈值 |
| NELM | 最大电子步；自旋极化酌情加大 |
| AMIX | 电荷混合系数；不收敛可降到 0.4–0.5 |
| IBRION | 离子优化算法<br>1 Quasi-Newton（快）<br>2 Conjugate-Gradient（1 不收敛时用）<br>0 MD<br>5 频率<br>6 弹性常数 |
| EDIFFG | 离子步收敛标准（eV/Å）<br>常用 ‑0.03，二维材料可放宽到 ‑0.05 |
| NSW | 最大离子步 / MD 步数；常用 200 |
| ISIF | 优化自由度<br>3 原子+晶胞（体材料）<br>2 仅原子（表面） |
| ISYM | 对称性：‑1 关闭；2 开启（MD 建议关） |
| ISMEAR | 展宽方法<br>‑5 半导体/绝缘体<br>0 Gaussian（通用）<br>1 MP（金属） |
| SIGMA | 展宽值：0.01 eV 常用 |
| NEDOS | DOS 数据点：1000–2000 |
| LORBIT | 投影 DOS<br>10 到 s/p/d/f<br>11 到亚轨道 |
| LREAL | 几何优化用 Auto；能量计算用 FALSE |
> 根据计算性质再追加相应关键词即可。
结束语
本期先聊 POSCAR & INCAR，下期继续 KPOINTS 与 POTCAR。
希望这些“踩坑笔记”能让你的 VASP 之旅更丝滑。
探索无止境，我们下期再见！
正文完
